Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPN5900CNH,L1Q
התמונה היא לעיון, אנא פנה אלינו כדי לקבל את התמונה האמיתית
TPN5900CNH,L1Q
| מק"ט יצרן: | TPN5900CNH,L1Q |
| יַצרָן: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| חלק מהתיאור: | MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON |
| גיליונות נתונים: | TPN5900CNH,L1Q גיליונות נתונים |
| סטטוס ללא עופרת / סטטוס RoHS: | ללא עופרת / תואם RoHS |
| מצב מלאי: | במלאי |
| נשלח מ: | Hong Kong |
| דרך משלוח: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- הֶעָרָה
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN5900CNH,L1Q זמין ב-chipnets.com. אנו מוכרים רק חלק חדש ומקורי ומציעים זמן אחריות לשנה. אם תרצה לדעת יותר על המוצרים או להחיל מחיר טוב יותר, אנא צור איתנו קשר לחץ על הצ'אט המקוון או שלח לנו הצעת מחיר.
כל רכיבי ה-Eelctronics יהיו ארוזים בצורה בטוחה מאוד על ידי הגנה אנטי סטטית ESD.
מִפרָט
| סוּג | תיאור |
|---|---|
| סִדרָה | U-MOSVIII-H |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| סטטוס חלק | Active |
| סוג FET | N-Channel |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) |
| ניקוז למתח המקור (Vdss) | 150 V |
| זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
| מתח כונן (מקסימום Rds פועל, מיני Rds פועל) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs | 7 nC @ 10 V |
| Vgs (מקסימום) | ±20V |
| קיבולת קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds | 600 pF @ 75 V |
| תכונת FET | - |
| פיזור כוח (מקסימום) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| טמפרטורת פעולה | 150°C (TJ) |
| סוג הרכבה | Surface Mount |
| חבילת מכשירי ספק | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| חבילה / מארז | 8-PowerVDFN |
מצב המניה: 1972
מִינִימוּם: 1
| כַּמוּת | מחיר ליחידה | שלוחה מחיר |
|---|---|---|
המחיר אינו זמין, נא להגיש בקשה |
||
חישוב משא
40 דולר ארה"ב על ידי FedEx.
מגיעים תוך 3-5 ימים
אקספרס: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) משלוח חינם על 0.5 ק"ג ראשונים עבור הזמנות מעל 150$, משקל עודף יחויב בנפרד
דגמים פופולריים
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
 |
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
נוסף לעגלה!
פריט זה נוסף לעגלת הקניות שלך.