Vishay / Siliconix / SIHP11N80E-GE3
התמונה היא לעיון, אנא פנה אלינו כדי לקבל את התמונה האמיתית
SIHP11N80E-GE3
| מק"ט יצרן: | SIHP11N80E-GE3 |
| יַצרָן: | Vishay / Siliconix |
| חלק מהתיאור: | MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB |
| גיליונות נתונים: | SIHP11N80E-GE3 גיליונות נתונים |
| סטטוס ללא עופרת / סטטוס RoHS: | ללא עופרת / תואם RoHS |
| מצב מלאי: | במלאי |
| נשלח מ: | Hong Kong |
| דרך משלוח: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- הֶעָרָה
- Vishay / Siliconix SIHP11N80E-GE3 זמין ב-chipnets.com. אנו מוכרים רק חלק חדש ומקורי ומציעים זמן אחריות לשנה. אם תרצה לדעת יותר על המוצרים או להחיל מחיר טוב יותר, אנא צור איתנו קשר לחץ על הצ'אט המקוון או שלח לנו הצעת מחיר.
כל רכיבי ה-Eelctronics יהיו ארוזים בצורה בטוחה מאוד על ידי הגנה אנטי סטטית ESD.
מִפרָט
| סוּג | תיאור |
|---|---|
| סִדרָה | E |
| חֲבִילָה | Tube |
| סטטוס חלק | Active |
| סוג FET | N-Channel |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) |
| ניקוז למתח המקור (Vdss) | 800 V |
| זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| מתח כונן (מקסימום Rds פועל, מיני Rds פועל) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
| Vgs (מקסימום) | ±30V |
| קיבולת קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds | 1670 pF @ 100 V |
| תכונת FET | - |
| פיזור כוח (מקסימום) | 179W (Tc) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| סוג הרכבה | Through Hole |
| חבילת מכשירי ספק | TO-220AB |
| חבילה / מארז | TO-220-3 |
מצב המניה: 17
מִינִימוּם: 1
| כַּמוּת | מחיר ליחידה | שלוחה מחיר |
|---|---|---|
המחיר אינו זמין, נא להגיש בקשה |
||
חישוב משא
40 דולר ארה"ב על ידי FedEx.
מגיעים תוך 3-5 ימים
אקספרס: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) משלוח חינם על 0.5 ק"ג ראשונים עבור הזמנות מעל 150$, משקל עודף יחויב בנפרד
דגמים פופולריים
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
 |
Vishay / Siliconix |
נוסף לעגלה!
פריט זה נוסף לעגלת הקניות שלך.