התמונה היא לעיון, אנא פנה אלינו כדי לקבל את התמונה האמיתית
מק"ט יצרן: | SI7898DP-T1-GE3 |
יַצרָן: | Vishay / Siliconix |
חלק מהתיאור: | MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8 |
גיליונות נתונים: | SI7898DP-T1-GE3 גיליונות נתונים |
סטטוס ללא עופרת / סטטוס RoHS: | ללא עופרת / תואם RoHS |
מצב מלאי: | במלאי |
נשלח מ: | Hong Kong |
דרך משלוח: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
סוּג | תיאור |
---|---|
סִדרָה | TrenchFET® |
חֲבִילָה | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
סטטוס חלק | Active |
סוג FET | N-Channel |
טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) |
ניקוז למתח המקור (Vdss) | 150 V |
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
מתח כונן (מקסימום Rds פועל, מיני Rds פועל) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
Vgs (מקסימום) | ±20V |
קיבולת קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds | - |
תכונת FET | - |
פיזור כוח (מקסימום) | 1.9W (Ta) |
טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) |
סוג הרכבה | Surface Mount |
חבילת מכשירי ספק | PowerPAK® SO-8 |
חבילה / מארז | PowerPAK® SO-8 |
מצב המניה: 1908
מִינִימוּם: 1
כַּמוּת | מחיר ליחידה | שלוחה מחיר |
---|---|---|
המחיר אינו זמין, נא להגיש בקשה |
40 דולר ארה"ב על ידי FedEx.
מגיעים תוך 3-5 ימים
אקספרס: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) משלוח חינם על 0.5 ק"ג ראשונים עבור הזמנות מעל 150$, משקל עודף יחויב בנפרד