GA10SICP12-263

הֶעָרָה: GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263 זמין ב-chipnets.com. אנו מוכרים רק חלק חדש ומקורי ומציעים זמן אחריות לשנה. אם תרצה לדעת יותר על המוצרים או להחיל מחיר טוב יותר, אנא צור איתנו קשר לחץ על הצ'אט המקוון או שלח לנו הצעת מחיר.

כל רכיבי ה-Eelctronics יהיו ארוזים בצורה בטוחה מאוד על ידי הגנה אנטי סטטית ESD.

package

מִפרָט

סוּג	תיאור
סִדרָה	-
חֲבִילָה	Tube
סטטוס חלק	Active
סוג FET	-
טֶכנוֹלוֹגִיָה	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ניקוז למתח המקור (Vdss)	1200 V
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
מתח כונן (מקסימום Rds פועל, מיני Rds פועל)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs	-
Vgs (מקסימום)	-
קיבולת קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds	1403 pF @ 800 V
תכונת FET	-
פיזור כוח (מקסימום)	170W (Tc)
טמפרטורת פעולה	175°C (TJ)
סוג הרכבה	Surface Mount
חבילת מכשירי ספק	D2PAK (7-Lead)
חבילה / מארז	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

אפשרויות קנייה

מצב המניה: משלוח באותו יום

מִינִימוּם: 1

כַּמוּת	מחיר ליחידה	שלוחה מחיר
המחיר אינו זמין, נא להגיש בקשה

חישוב משא

40 דולר ארה"ב על ידי FedEx.

מגיעים תוך 3-5 ימים

אקספרס: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) משלוח חינם על 0.5 ק"ג ראשונים עבור הזמנות מעל 150$, משקל עודף יחויב בנפרד

דגמים פופולריים

	GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor
	GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor
	GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor
	GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor

פריט זה נוסף לעגלת הקניות שלך.