Rochester Electronics / NP82N04MDG-S18-AY
התמונה היא לעיון, אנא פנה אלינו כדי לקבל את התמונה האמיתית
NP82N04MDG-S18-AY
| מק"ט יצרן: | NP82N04MDG-S18-AY |
| יַצרָן: | Rochester Electronics |
| חלק מהתיאור: | MOSFET N-CH 40V 82A TO220-3 |
| סטטוס ללא עופרת / סטטוס RoHS: | ללא עופרת / תואם RoHS |
| מצב מלאי: | במלאי |
| נשלח מ: | Hong Kong |
| דרך משלוח: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- הֶעָרָה
- Rochester Electronics NP82N04MDG-S18-AY זמין ב-chipnets.com. אנו מוכרים רק חלק חדש ומקורי ומציעים זמן אחריות לשנה. אם תרצה לדעת יותר על המוצרים או להחיל מחיר טוב יותר, אנא צור איתנו קשר לחץ על הצ'אט המקוון או שלח לנו הצעת מחיר.
כל רכיבי ה-Eelctronics יהיו ארוזים בצורה בטוחה מאוד על ידי הגנה אנטי סטטית ESD.
מִפרָט
| סוּג | תיאור |
|---|---|
| סִדרָה | - |
| חֲבִילָה | Tube |
| סטטוס חלק | Obsolete |
| סוג FET | N-Channel |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) |
| ניקוז למתח המקור (Vdss) | 40 V |
| זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C | 82A (Tc) |
| מתח כונן (מקסימום Rds פועל, מיני Rds פועל) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 41A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Vgs (מקסימום) | - |
| קיבולת קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds | 9 pF @ 25 V |
| תכונת FET | - |
| פיזור כוח (מקסימום) | 1.8W (Ta), 143W (Tc) |
| טמפרטורת פעולה | 175°C (TJ) |
| סוג הרכבה | Through Hole |
| חבילת מכשירי ספק | TO-220-3 |
| חבילה / מארז | TO-220-3 |
מצב המניה: 4900
מִינִימוּם: 1
| כַּמוּת | מחיר ליחידה | שלוחה מחיר |
|---|---|---|
המחיר אינו זמין, נא להגיש בקשה |
||
חישוב משא
40 דולר ארה"ב על ידי FedEx.
מגיעים תוך 3-5 ימים
אקספרס: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) משלוח חינם על 0.5 ק"ג ראשונים עבור הזמנות מעל 150$, משקל עודף יחויב בנפרד
דגמים פופולריים
 |
Rochester Electronics |
 |
Renesas Electronics America |
 |
Rochester Electronics |
 |
Rochester Electronics |
 |
Renesas Electronics America |
 |
Rochester Electronics |
 |
Renesas Electronics America |
 |
Rochester Electronics |
 |
Rochester Electronics |
 |
Rochester Electronics |
נוסף לעגלה!
פריט זה נוסף לעגלת הקניות שלך.