Vishay General Semiconductor – Diodes Division / S1AHE3_A/I
התמונה היא לעיון, אנא פנה אלינו כדי לקבל את התמונה האמיתית
S1AHE3_A/I
| מק"ט יצרן: | S1AHE3_A/I |
| יַצרָן: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| חלק מהתיאור: | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC |
| גיליונות נתונים: | S1AHE3_A/I גיליונות נתונים |
| סטטוס ללא עופרת / סטטוס RoHS: | ללא עופרת / תואם RoHS |
| מצב מלאי: | במלאי |
| נשלח מ: | Hong Kong |
| דרך משלוח: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- הֶעָרָה
- Vishay General Semiconductor – Diodes Division S1AHE3_A/I זמין ב-chipnets.com. אנו מוכרים רק חלק חדש ומקורי ומציעים זמן אחריות לשנה. אם תרצה לדעת יותר על המוצרים או להחיל מחיר טוב יותר, אנא צור איתנו קשר לחץ על הצ'אט המקוון או שלח לנו הצעת מחיר.
כל רכיבי ה-Eelctronics יהיו ארוזים בצורה בטוחה מאוד על ידי הגנה אנטי סטטית ESD.
מִפרָט
| סוּג | תיאור |
|---|---|
| סִדרָה | - |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) |
| סטטוס חלק | Active |
| סוג דיודה | Standard |
| מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום) | 50 V |
| זרם - ממוצע מתוקן (Io) | 1A |
| מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם | 1.1 V @ 1 A |
| מְהִירוּת | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| זמן התאוששות הפוך (trr) | 1.8 µs |
| זרם - דליפה הפוכה @ Vr | 1 µA @ 50 V |
| קיבוליות @ Vr, פ | 12pF @ 4V, 1MHz |
| סוג הרכבה | Surface Mount |
| חבילה / מארז | DO-214AC, SMA |
| חבילת מכשירי ספק | DO-214AC (SMA) |
| טמפרטורת הפעלה - צומת | -55°C ~ 150°C |
מצב המניה: משלוח באותו יום
מִינִימוּם: 1
| כַּמוּת | מחיר ליחידה | שלוחה מחיר |
|---|---|---|
המחיר אינו זמין, נא להגיש בקשה |
||
חישוב משא
40 דולר ארה"ב על ידי FedEx.
מגיעים תוך 3-5 ימים
אקספרס: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) משלוח חינם על 0.5 ק"ג ראשונים עבור הזמנות מעל 150$, משקל עודף יחויב בנפרד
דגמים פופולריים
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
TSC (Taiwan Semiconductor) |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
TSC (Taiwan Semiconductor) |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Comchip Technology |
נוסף לעגלה!
פריט זה נוסף לעגלת הקניות שלך.